STD26NF10 Todos los transistores

 

STD26NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD26NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD26NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  st
 std26nf10.pdf pdf_icon

STD26NF10

STD26NF10N-channel 100V - 0.033 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD26NF10 100V

 9.1. Size:982K  st
 std26p3llh6.pdf pdf_icon

STD26NF10

STD26P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTTABSTD26P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W321. @ VGS= 10 V1 RDS(on) * Qg industry benchmarkDPAK Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate input resis

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History: MDU1532SURH | 2SK2749 | BUK7616-55A | CSD85312Q3E | AP98T03GP-HF | FTK5N80DD

 

 
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