Справочник MOSFET. STD26NF10

 

STD26NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD26NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD26NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  st
 std26nf10.pdf pdf_icon

STD26NF10

STD26NF10N-channel 100V - 0.033 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD26NF10 100V

 9.1. Size:982K  st
 std26p3llh6.pdf pdf_icon

STD26NF10

STD26P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTTABSTD26P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W321. @ VGS= 10 V1 RDS(on) * Qg industry benchmarkDPAK Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate input resis

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WFP12N60 | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.