Справочник MOSFET. STD26NF10

 

STD26NF10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD26NF10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD26NF10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD26NF10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  st
 std26nf10.pdf pdf_icon

STD26NF10

STD26NF10N-channel 100V - 0.033 - 25A - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD26NF10 100V

 9.1. Size:982K  st
 std26p3llh6.pdf pdf_icon

STD26NF10

STD26P3LLH6P-channel 30 V, 0.024 typ., 12 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS max ID PTOTTABSTD26P3LLH6 30 V 0.030 (1) 12 A 40 W321. @ VGS= 10 V1 RDS(on) * Qg industry benchmarkDPAK Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate input resis

Другие MOSFET... STD1NK60 , STD1NK80Z , STD20NF06 , STD20NF06L , STD20NF10 , STD20NF20 , STD25NF10 , STD25NF10LA , IRFP064N , STD27N3LH5 , STD2HNK60Z , STD2HNK60Z-1 , STD2N62K3 , STD2NC45-1 , STD2NK100Z , STD2NK60Z-1 , STD2NK70Z .

History: BRS1N80 | AS2312 | CI72N65 | NTMS4916NR2G | IRF7425TR

 

 
Back to Top

 


 
.