STD3PK50Z Todos los transistores

 

STD3PK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD3PK50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de STD3PK50Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STD3PK50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  st
 std3pk50z.pdf pdf_icon

STD3PK50Z

STD3PK50Z P-channel 500 V, 3 typ., 2.8 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD3PK50Z 500 V 4 2.8 A 70 W Gate charge minimized Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Very low intrinsic capacitance Improved ESD capability Figure 1

Otros transistores... STD3NK60Z , STD3NK60Z-1 , STD3NK60ZD , STD3NK80Z , STD3NK80Z-1 , STD3NK90Z , STD3NM60 , STD3NM60-1 , IRFP260 , STD40N2LH5 , STD40NF03L , STD40NF10 , STD40NF3LL , STD44N4LF6 , STD45NF75 , STD4N52K3 , STD4N62K3 .

History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
Back to Top

 


 
.