Справочник MOSFET. STD3PK50Z

 

STD3PK50Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3PK50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3PK50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  st
std3pk50z.pdfpdf_icon

STD3PK50Z

STD3PK50Z P-channel 500 V, 3 typ., 2.8 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD3PK50Z 500 V 4 2.8 A 70 W Gate charge minimized Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Very low intrinsic capacitance Improved ESD capability Figure 1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTP50N25T | FDD9407-F085 | SSM6J505NU | UF740G-TQ2-R | TPH4R008NH | SML60B21 | PH3855L

 

 
Back to Top

 


 
.