STD3PK50Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD3PK50Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD3PK50Z
STD3PK50Z Datasheet (PDF)
std3pk50z.pdf
STD3PK50Z P-channel 500 V, 3 typ., 2.8 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD3PK50Z 500 V 4 2.8 A 70 W Gate charge minimized Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Very low intrinsic capacitance Improved ESD capability Figure 1
Другие MOSFET... STD3NK60Z , STD3NK60Z-1 , STD3NK60ZD , STD3NK80Z , STD3NK80Z-1 , STD3NK90Z , STD3NM60 , STD3NM60-1 , 2SK3878 , STD40N2LH5 , STD40NF03L , STD40NF10 , STD40NF3LL , STD44N4LF6 , STD45NF75 , STD4N52K3 , STD4N62K3 .
History: SML10B75XX | FDS3590 | BSP317P
History: SML10B75XX | FDS3590 | BSP317P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381


