Справочник MOSFET. STD3PK50Z

 

STD3PK50Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3PK50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD3PK50Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3PK50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  st
 std3pk50z.pdf pdf_icon

STD3PK50Z

STD3PK50Z P-channel 500 V, 3 typ., 2.8 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD3PK50Z 500 V 4 2.8 A 70 W Gate charge minimized Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Very low intrinsic capacitance Improved ESD capability Figure 1

Другие MOSFET... STD3NK60Z , STD3NK60Z-1 , STD3NK60ZD , STD3NK80Z , STD3NK80Z-1 , STD3NK90Z , STD3NM60 , STD3NM60-1 , IRFP260 , STD40N2LH5 , STD40NF03L , STD40NF10 , STD40NF3LL , STD44N4LF6 , STD45NF75 , STD4N52K3 , STD4N62K3 .

History: STB180N55F3 | BRF15N65 | 2SK1119 | CHM640NGP

 

 
Back to Top

 


 
.