STD4NS25 Todos los transistores

 

STD4NS25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD4NS25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD4NS25 datasheet

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STD4NS25

STD4NS25 N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD4NS25 250 V

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STD4NS25

STD4NS25 N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD4NS25 250 V

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std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdf pdf_icon

STD4NS25

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

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std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdf pdf_icon

STD4NS25

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

Otros transistores... STD4NK50Z , STD4NK50Z-1 , STD4NK50ZD , STD4NK50ZD-1 , STD4NK60Z , STD4NK60Z-1 , STD4NK80Z , STD4NK80Z-1 , IRF1010E , STD50N03L , STD50N03L-1 , STD55N4F5 , STD5N20 , STD5N20L , STD5N52K3 , STD5N52U , STD5N62K3 .

History: ME2306A | SM3319NSQG | DH012N03D | AP4506GEM-HF

 

 

 

 

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