STD4NS25 Todos los transistores

 

STD4NS25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD4NS25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD4NS25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  st
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STD4NS25

STD4NS25N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD4NS25 250 V

 0.1. Size:191K  st
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STD4NS25

STD4NS25N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD4NS25 250 V

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std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdf pdf_icon

STD4NS25

STD4NA40N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD4NA40 400 V

 9.2. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdf pdf_icon

STD4NS25

STD4N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DSTD4N25 250 V

Otros transistores... STD4NK50Z , STD4NK50Z-1 , STD4NK50ZD , STD4NK50ZD-1 , STD4NK60Z , STD4NK60Z-1 , STD4NK80Z , STD4NK80Z-1 , IRF530 , STD50N03L , STD50N03L-1 , STD55N4F5 , STD5N20 , STD5N20L , STD5N52K3 , STD5N52U , STD5N62K3 .

History: CS110N03A3 | STL22N65M5

 

 
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