Справочник MOSFET. STD4NS25

 

STD4NS25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD4NS25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD4NS25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4NS25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  st
std4ns25.pdfpdf_icon

STD4NS25

STD4NS25N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD4NS25 250 V

 0.1. Size:191K  st
std4ns25t4.pdfpdf_icon

STD4NS25

STD4NS25N-CHANNEL 250V - 0.9 - 4A DPAK/IPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD4NS25 250 V

 9.1. Size:169K  1
std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdfpdf_icon

STD4NS25

STD4NA40N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD4NA40 400 V

 9.2. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdfpdf_icon

STD4NS25

STD4N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE V R IDSS DS(on) DSTD4N25 250 V

Другие MOSFET... STD4NK50Z , STD4NK50Z-1 , STD4NK50ZD , STD4NK50ZD-1 , STD4NK60Z , STD4NK60Z-1 , STD4NK80Z , STD4NK80Z-1 , IRF530 , STD50N03L , STD50N03L-1 , STD55N4F5 , STD5N20 , STD5N20L , STD5N52K3 , STD5N52U , STD5N62K3 .

History: NVH4L040N120SC1 | AUIRFZ46NS | TPAO5404EL

 

 
Back to Top

 


 
.