STD65N55F3 Todos los transistores

 

STD65N55F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD65N55F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD65N55F3 datasheet

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STD65N55F3

STD65N55F3 N-channel 55V - 6.5m - 80A - DPAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD65N55F3 55V

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STD65N55F3

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STD65N55F3

STD65N55LF3 N-channel 55 V, 7.0 m , 80 A DPAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STD65N55LF3 55 V

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STD65N55F3

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

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History: CM2N80C | KHB7D5N60F1 | FDMS3602S | CM20N60 | IRLR120PBF | AOD2544 | BUZ11S2FI

 

 

 

 

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