STD65N55F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD65N55F3
Маркировка: 65N55F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD65N55F3
STD65N55F3 Datasheet (PDF)
std65n55f3.pdf
STD65N55F3N-channel 55V - 6.5m - 80A - DPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTD65N55F3 55V
std65n55f3.pdf
STD65N55F3www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120ID (A) 97Configuration SingleDTO-252GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25
std65n55lf3.pdf
STD65N55LF3N-channel 55 V, 7.0 m, 80 A DPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID Pwmax.STD65N55LF3 55 V
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf
STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow
std65nf06 stp65nf06.pdf
STD65NF06STP65NF06N-channel 60V - 11.5m - 60A - DPAK/TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD65NF06 60V
std65nf06.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STD65NF06FEATURESWith TO-252( DPAK ) packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918