STD65N55LF3 Todos los transistores

 

STD65N55LF3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD65N55LF3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de STD65N55LF3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STD65N55LF3 datasheet

 ..1. Size:800K  st
 std65n55lf3.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

STD65N55LF3 N-channel 55 V, 7.0 m , 80 A DPAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STD65N55LF3 55 V

 6.1. Size:441K  st
 std65n55f3.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

STD65N55F3 N-channel 55V - 6.5m - 80A - DPAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD65N55F3 55V

 6.2. Size:799K  cn vbsemi
 std65n55f3.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

 8.1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STD60N55F3 , STD60NF06 , STD60NF3LL , STD60NF55L , STD60NF55L-1 , STD60NF55LA , STD65N3LLH5 , STD65N55F3 , IRFZ24N , STD65NF06 , STD6N52K3 , STD6N62K3 , STD6N95K5 , STD6NF10 , STD6NK50Z , STD70N10F4 , STD70N2LH5 .

History: 2SK1406 | DG2N65-252 | ZXMP6A16DN8 | DMC4050SSD | 2SK3037 | CM8N80 | PJW4N06A-AU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.