STD65N55LF3 - описание и поиск аналогов

 

STD65N55LF3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD65N55LF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD65N55LF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD65N55LF3 даташит

 ..1. Size:800K  st
 std65n55lf3.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

STD65N55LF3 N-channel 55 V, 7.0 m , 80 A DPAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STD65N55LF3 55 V

 6.1. Size:441K  st
 std65n55f3.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

STD65N55F3 N-channel 55V - 6.5m - 80A - DPAK STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw STD65N55F3 55V

 6.2. Size:799K  cn vbsemi
 std65n55f3.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

 8.1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STD65N55LF3

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD60N55F3 , STD60NF06 , STD60NF3LL , STD60NF55L , STD60NF55L-1 , STD60NF55LA , STD65N3LLH5 , STD65N55F3 , IRFZ24N , STD65NF06 , STD6N52K3 , STD6N62K3 , STD6N95K5 , STD6NF10 , STD6NK50Z , STD70N10F4 , STD70N2LH5 .

History: DMT3020LFDF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.