STD8N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD8N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: DPAK
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STD8N65M5 datasheet
std8n60dm2.pdf
STD8N60DM2 Datasheet N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD8N60DM2 600 V 600 m 8 A 85 W 3 2 1 Fast-recovery body diode DPAK Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D(2, TAB) 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze
std8n06-1 std8n06t4.pdf
STD8N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD8N06 60 V
Otros transistores... STD7N52K3 , STD7NK40Z , STD7NM60N , STD7NM80 , STD7NM80-1 , STD7NS20 , STD85N3LH5 , STD86N3LH5 , AOD4184A , STD8NM50N , STD8NM60N , STD8NM60ND , STD90N03L , STD90N03L-1 , STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 .
History: STP35N10 | 2SK2792 | ATM2312NSA
History: STP35N10 | 2SK2792 | ATM2312NSA
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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