STD8N65M5 Todos los transistores

 

STD8N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD8N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD8N65M5 datasheet

 8.1. Size:377K  st
std8n60dm2.pdf pdf_icon

STD8N65M5

STD8N60DM2 Datasheet N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD8N60DM2 600 V 600 m 8 A 85 W 3 2 1 Fast-recovery body diode DPAK Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D(2, TAB) 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdf pdf_icon

STD8N65M5

STD8N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD8N06 60 V

Otros transistores... STD7N52K3 , STD7NK40Z , STD7NM60N , STD7NM80 , STD7NM80-1 , STD7NS20 , STD85N3LH5 , STD86N3LH5 , AOD4184A , STD8NM50N , STD8NM60N , STD8NM60ND , STD90N03L , STD90N03L-1 , STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 .

History: STP35N10 | 2SK2792 | ATM2312NSA

 

 

 

 

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