STD8N65M5 - описание и поиск аналогов

 

STD8N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD8N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD8N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD8N65M5 даташит

 8.1. Size:377K  st
std8n60dm2.pdfpdf_icon

STD8N65M5

STD8N60DM2 Datasheet N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD8N60DM2 600 V 600 m 8 A 85 W 3 2 1 Fast-recovery body diode DPAK Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D(2, TAB) 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdfpdf_icon

STD8N65M5

STD8N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD8N06 60 V

Другие MOSFET... STD7N52K3 , STD7NK40Z , STD7NM60N , STD7NM80 , STD7NM80-1 , STD7NS20 , STD85N3LH5 , STD86N3LH5 , AOD4184A , STD8NM50N , STD8NM60N , STD8NM60ND , STD90N03L , STD90N03L-1 , STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 .

History: AP16N50P | SVT068R5NT | MTB028N10QNCQ8 | IRLML5203PBF | H10N60F | 2SK3915-01MR | ME4454

 

 

 

 

↑ Back to Top
.