STD8N65M5. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STD8N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD8N65M5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STD8N65M5 даташит
std8n60dm2.pdf
STD8N60DM2 Datasheet N-channel 600 V, 550 m typ., 8 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD8N60DM2 600 V 600 m 8 A 85 W 3 2 1 Fast-recovery body diode DPAK Extremely low gate charge and input capacitance Low on-resistance D(2, TAB) 100% avalanche tested Extremely high dv/dt ruggedness Ze
std8n06-1 std8n06t4.pdf
STD8N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD8N06 60 V
Другие MOSFET... STD7N52K3 , STD7NK40Z , STD7NM60N , STD7NM80 , STD7NM80-1 , STD7NS20 , STD85N3LH5 , STD86N3LH5 , AOD4184A , STD8NM50N , STD8NM60N , STD8NM60ND , STD90N03L , STD90N03L-1 , STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 .
History: AP16N50P | SVT068R5NT | MTB028N10QNCQ8 | IRLML5203PBF | H10N60F | 2SK3915-01MR | ME4454
History: AP16N50P | SVT068R5NT | MTB028N10QNCQ8 | IRLML5203PBF | H10N60F | 2SK3915-01MR | ME4454
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet
















