STD9NM60N Todos los transistores

 

STD9NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD9NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.745 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD9NM60N datasheet

 ..1. Size:896K  st
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STD9NM60N

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 8.1. Size:963K  st
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STD9NM60N

STD9NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK Features Order code VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID STD9NM50N 550 V

 8.2. Size:485K  st
 std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM60N

STD9NM50N - STD9NM50N-1 STF9NM50N - STP9NM50N N-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 3 STD9NM50N 550V

 8.3. Size:1072K  st
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STD9NM60N

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