STD9NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD9NM60N
Código: 9NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.745 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD9NM60N
STD9NM60N Datasheet (PDF)
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf
STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V
std9nm50n.pdf
STD9NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAKFeaturesOrder code VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM50N 550 V
std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf
STD9NM50N - STD9NM50N-1STF9NM50N - STP9NM50NN-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)323STD9NM50N 550V
std9nm40n.pdf
STD9NM40N, STP9NM40NN-channel 400 V, 0.73 typ., 5.6 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM40NTAB450 V
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Liste
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