Справочник MOSFET. STD9NM60N

 

STD9NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD9NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.745 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD9NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD9NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  st
 std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STD9NM60N

STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V

 8.1. Size:963K  st
 std9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM60N

STD9NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAKFeaturesOrder code VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM50N 550 V

 8.2. Size:485K  st
 std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM60N

STD9NM50N - STD9NM50N-1STF9NM50N - STP9NM50NN-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)323STD9NM50N 550V

 8.3. Size:1072K  st
 std9nm40n.pdf pdf_icon

STD9NM60N

STD9NM40N, STP9NM40NN-channel 400 V, 0.73 typ., 5.6 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM40NTAB450 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD90N03L , STD90N03L-1 , STD90N4F3 , STD95N2LH5 , STD95N3LLH6 , STD95N4F3 , STD95N4LF3 , STD9NM50N , IRF540N , STE140NF20D , STE250NS10 , STE30NK90Z , STE40NC60 , STE40NK90ZD , STE48NM50 , STE53NC50 , STE70NM50 .

 

 
Back to Top

 


 
.