STF18N55M5 Todos los transistores

 

STF18N55M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF18N55M5
   Código: 18N55M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STF18N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1247K  st
stb18n55m5 std18n55m5 stf18n55m5 stp18n55m5.pdf pdf_icon

STF18N55M5

STB18N55M5, STD18N55M5STF18N55M5, STP18N55M5N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID3@TJmax max131STB18N55M5DPAKDPAKSTD18N55M5550 V

 8.1. Size:963K  st
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf pdf_icon

STF18N55M5

STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V

 8.2. Size:795K  st
stf18n65m2.pdf pdf_icon

STF18N55M5

STF18N65M2N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTF18N65M2 650 V 0.33 12 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile1 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedApplications Switching applicationsF

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stf18n60m2.pdf pdf_icon

STF18N55M5

STF18N60M2N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF18N60M2 650 V 0.28 13 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistanceTO-220FP 100% avalanche tested Zener-protected

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