Справочник MOSFET. STF18N55M5

 

STF18N55M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STF18N55M5
   Маркировка: 18N55M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP

 Аналог (замена) для STF18N55M5

 

 

STF18N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1247K  st
stb18n55m5 std18n55m5 stf18n55m5 stp18n55m5.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STB18N55M5, STD18N55M5STF18N55M5, STP18N55M5N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID3@TJmax max131STB18N55M5DPAKDPAKSTD18N55M5550 V

 8.1. Size:963K  st
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V

 8.2. Size:795K  st
stf18n65m2.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STF18N65M2N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTF18N65M2 650 V 0.33 12 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile1 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedApplications Switching applicationsF

 8.3. Size:1066K  st
stf18n60m2.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STF18N60M2N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF18N60M2 650 V 0.28 13 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistanceTO-220FP 100% avalanche tested Zener-protected

 8.4. Size:1048K  st
stb18nm80 stf18nm80 stp18nm80 stw18nm80.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID3321STB18NM80 800 V

 8.5. Size:1417K  st
stb18nm60nd stf18nm60nd stp18nm60nd stw18nm60nd.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STB18NM60ND, STF18NM60ND, STP18NM60ND, STW18NM60NDN-channel 600 V - 0.25 typ., 13 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) IDOrder codes3TJmaxmax132STB18NM60NDD2PAK 1TO-220FPSTF18NM60ND650 V

 8.6. Size:995K  st
stb18nm60n stf18nm60n sti18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60NSTP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.27 , 13 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK and IPAKFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID PW(@Tjmax) max.3312STB18NM60N 110 W 1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-24732STI18NM60N 650 V

 8.7. Size:948K  st
stf18n65m5 sti18n65m5 stp18n65m5 stw18n65m5.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STF18N65M5, STI18N65M5, STP18N65M5,STW18N65M5N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABVDSS @ RDS(on) Order code IDTJmax max3213STF18N65M5 21TO-220FPSTI18N65M5IPAK710 V

 8.8. Size:1158K  st
stb18nm60n stf18nm60n stp18nm60n stw18nm60n.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

STB18NM60N, STF18NM60N, STP18NM60N, STW18NM60NN-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247Datasheet production dataFeaturesTABVDSS RDS(on) Order codes ID PTOT(@Tjmax) max.3132STB18NM60N 110 W1DPAKSTF18NM60N 30 WTO-220FP650 V

 8.9. Size:185K  inchange semiconductor
stf18n65m5.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STF18N65M5FEATURESHigher V ratingDSSExcellent switching performance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 650 VDSS

 8.10. Size:255K  inchange semiconductor
stf18n60m2.pdf

STF18N55M5
STF18N55M5

isc N-Channel MOSFET Transistor STF18N60M2FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top