Справочник MOSFET. STF18N55M5

 

STF18N55M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF18N55M5
   Маркировка: 18N55M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STF18N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1247K  st
stb18n55m5 std18n55m5 stf18n55m5 stp18n55m5.pdfpdf_icon

STF18N55M5

STB18N55M5, STD18N55M5STF18N55M5, STP18N55M5N-channel 550 V, 0.18 , 13 A, MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID3@TJmax max131STB18N55M5DPAKDPAKSTD18N55M5550 V

 8.1. Size:963K  st
stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdfpdf_icon

STF18N55M5

STB18NM80, STF18NM80STP18NM80, STW18NM80N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max33 22 1STB18NM80 800 V

 8.2. Size:795K  st
stf18n65m2.pdfpdf_icon

STF18N55M5

STF18N65M2N-channel 650 V, 0.275 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTF18N65M2 650 V 0.33 12 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile1 100% avalanche testedTO-220FP Zener-protectedApplications Switching applicationsF

 8.3. Size:1066K  st
stf18n60m2.pdfpdf_icon

STF18N55M5

STF18N60M2N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF18N60M2 650 V 0.28 13 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation321 Low gate input resistanceTO-220FP 100% avalanche tested Zener-protected

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.