STF32N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STF32N65M5
   Código: 32N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.119 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP

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STF32N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:1086K st
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

8.1. Size:1168K st
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t

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Liste

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