Справочник MOSFET. STF32N65M5

 

STF32N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF32N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для STF32N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF32N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1086K  st
 stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf pdf_icon

STF32N65M5

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

 8.1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STF32N65M5

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t

Другие MOSFET... STF25NM60ND , STF26NM60N , STF28NM50N , STF2HNK60Z , STF2N62K3 , STF2NK60Z , STF30N65M5 , STF30NM50N , AON6380 , STF34NM60N , STF34NM60ND , STF35N65M5 , STF3LN62K3 , STF3N62K3 , STF3NK100Z , STF3NK80Z , STF40NF06 .

 

 
Back to Top

 


 
.