STF32N65M5 - описание и поиск аналогов

 

STF32N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF32N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для STF32N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF32N65M5 даташит

 ..1. Size:1086K  st
 stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf pdf_icon

STF32N65M5

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5 STP32N65M5, STW32N65M5 N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS@ Type RDS(on) max ID TJmax 3 3 1 2 3 1 2 STB32N65M5 710 V

 8.1. Size:1168K  st
 stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf pdf_icon

STF32N65M5

STB32NM50N, STF32NM50N, STP32NM50N, STW32NM50N N-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 2 max. 3 1 3 2 STB32NM50N 190 W 1 D PAK TO-220FP STF32NM50N 35 W 500 V 0.13 22 A STP32NM50N 190 W TAB STW32NM50N 190 W 100% avalanche t

Другие MOSFET... STF25NM60ND , STF26NM60N , STF28NM50N , STF2HNK60Z , STF2N62K3 , STF2NK60Z , STF30N65M5 , STF30NM50N , IRFZ24N , STF34NM60N , STF34NM60ND , STF35N65M5 , STF3LN62K3 , STF3N62K3 , STF3NK100Z , STF3NK80Z , STF40NF06 .

History: AOI8N25

 

 

 

 

↑ Back to Top
.