STF32N65M5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STF32N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STF32N65M5
STF32N65M5 Datasheet (PDF)
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t
Другие MOSFET... STF25NM60ND , STF26NM60N , STF28NM50N , STF2HNK60Z , STF2N62K3 , STF2NK60Z , STF30N65M5 , STF30NM50N , AON6380 , STF34NM60N , STF34NM60ND , STF35N65M5 , STF3LN62K3 , STF3N62K3 , STF3NK100Z , STF3NK80Z , STF40NF06 .
History: AFN08N50T220FT | SPP22N05 | SVT033R5NT | WMM80R1K5S | R6020ANZ | CJ2306 | HM4953C
History: AFN08N50T220FT | SPP22N05 | SVT033R5NT | WMM80R1K5S | R6020ANZ | CJ2306 | HM4953C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet