STH180N10F3-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH180N10F3-2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 97.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 786 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: H2PAK2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STH180N10F3-2
STH180N10F3-2 Datasheet (PDF)
sth180n10f3-2.pdf
STH180N10F3-2 N-channel 100 V, 3.9 m typ.,180 A, STripFET F3 Power MOSFET in HPAK-2 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max. STH180N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistence 100% avalanche tested Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagram Description This device is an N-cha
sth180n10f3-6.pdf
STH180N10F3-6N-channel 100 V, 3.9 m, 180 A, HPAK-6STripFETIII Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order codes VDSS IDTABmax.STH180N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistance7 100% avalanche tested1ApplicationsH2PAK-6 High current switching applicationsDescriptionThis device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagra
sth185n10f3-6.pdf
STH185N10F3-6Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-6 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTH185N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 7 AEC-Q101 qualified1 Ultra low on-resistanceH2PAK-6 100% avalanche testedApplications Switchi
sth185n10f3-2.pdf
STH185N10F3-2Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTH185N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 2AEC-Q101 qualified31 Ultra low on-resistanceH2PAK-2 100% avalanche testedApplications Swi
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918