STH250N55F3-6 Todos los transistores

 

STH250N55F3-6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH250N55F3-6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm

Encapsulados: H2PAK6

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STH250N55F3-6 datasheet

 ..1. Size:709K  st
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STH250N55F3-6

STH250N55F3-6 N-channel 55 V, 2.2 m , 180 A, H PAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STH250N55F3-6 55 V 2.6 m 180 A(1) 300 W 1. Value limited by package Ultra low on-resistance 100% avalanche tested H2PAK-6l Application Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This N-channel STripFET III Power

Otros transistores... STFI20NK50Z, STFW12N120K5, STFW3N150, STFW4N150, STFW60N65M5, STFW6N120K3, STH180N10F3-2, STH210N75F6-2, AON6414A, STH260N6F6-2, STH270N4F3-6, STH300NH02L-6, STH85N15F4-2, STH90N15F4-2, STI10N62K3, STI12N65M5, STI13NM60N

 

 

 

 

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