STH250N55F3-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH250N55F3-6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK6

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STH250N55F3-6 Datasheet (PDF)

..1. Size:709K st
sth250n55f3-6.pdf

STH250N55F3-6N-channel 55 V, 2.2 m, 180 A, HPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID Pwmax.STH250N55F3-6 55 V 2.6 m 180 A(1) 300 W1. Value limited by package Ultra low on-resistance 100% avalanche testedH2PAK-6lApplicationSwitching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis N-channel STripFET III Power

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: