STH250N55F3-6 Todos los transistores

 

STH250N55F3-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH250N55F3-6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK6
 

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STH250N55F3-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  st
 sth250n55f3-6.pdf pdf_icon

STH250N55F3-6

STH250N55F3-6N-channel 55 V, 2.2 m, 180 A, HPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID Pwmax.STH250N55F3-6 55 V 2.6 m 180 A(1) 300 W1. Value limited by package Ultra low on-resistance 100% avalanche testedH2PAK-6lApplicationSwitching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis N-channel STripFET III Power

Otros transistores... STFI20NK50Z , STFW12N120K5 , STFW3N150 , STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , IRFB4110 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N .

History: NP30N04QUK | RF1S640

 

 
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