STH250N55F3-6 - описание и поиск аналогов

 

STH250N55F3-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH250N55F3-6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: H2PAK6

Аналог (замена) для STH250N55F3-6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH250N55F3-6 даташит

 ..1. Size:709K  st
 sth250n55f3-6.pdf pdf_icon

STH250N55F3-6

STH250N55F3-6 N-channel 55 V, 2.2 m , 180 A, H PAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STH250N55F3-6 55 V 2.6 m 180 A(1) 300 W 1. Value limited by package Ultra low on-resistance 100% avalanche tested H2PAK-6l Application Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This N-channel STripFET III Power

Другие MOSFET... STFI20NK50Z , STFW12N120K5 , STFW3N150 , STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , AON6414A , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N .

History: IPB45N06S4L-08

 

 

 

 

↑ Back to Top
.