Справочник MOSFET. STH250N55F3-6

 

STH250N55F3-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH250N55F3-6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK6
 

 Аналог (замена) для STH250N55F3-6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH250N55F3-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  st
 sth250n55f3-6.pdf pdf_icon

STH250N55F3-6

STH250N55F3-6N-channel 55 V, 2.2 m, 180 A, HPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID Pwmax.STH250N55F3-6 55 V 2.6 m 180 A(1) 300 W1. Value limited by package Ultra low on-resistance 100% avalanche testedH2PAK-6lApplicationSwitching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis N-channel STripFET III Power

Другие MOSFET... STFI20NK50Z , STFW12N120K5 , STFW3N150 , STFW4N150 , STFW60N65M5 , STFW6N120K3 , STH180N10F3-2 , STH210N75F6-2 , IRFB4110 , STH260N6F6-2 , STH270N4F3-6 , STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N .

History: NDT35N06 | WMQ37N03T1 | RU30E4B | HRS88N08K | TMC8N65H | KIA2N60H-252 | NCE3008N

 

 
Back to Top

 


 
.