STI200N6F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STI200N6F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 330 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 75 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1295 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STI200N6F3
STI200N6F3 Datasheet (PDF)
stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf
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STB200N6F3, STI200N6F3STP200N6F3N-channel 60 V, 3 m, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB200N6F3 60 V
stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf
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STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max3321 1STB20N65M5D2PAKI2PAKSTI20N65M5710 V 0.19 18 ATABSTP20N65M5STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area32
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