Справочник MOSFET. STI200N6F3

 

STI200N6F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STI200N6F3
   Маркировка: 200N6F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 101 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI200N6F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI200N6F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  st
 stb200n6f3 sti200n6f3 stp200n6f3.pdf pdf_icon

STI200N6F3

STB200N6F3, STI200N6F3STP200N6F3N-channel 60 V, 3 m, 120 A D2PAK, TO-220, I2PAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB200N6F3 60 V

 9.1. Size:1169K  st
 stb20n65m5 sti20n65m5 stp20n65m5 stw20n65m5.pdf pdf_icon

STI200N6F3

STB20N65M5, STI20N65M5, STP20N65M5, STW20N65M5N-channel 650 V, 0.160 typ., 18 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABVDS @ RDS(on) Order codes ID2TJmax max3321 1STB20N65M5D2PAKI2PAKSTI20N65M5710 V 0.19 18 ATABSTP20N65M5STW20N65M5 Worldwide best RDS(on) * area32

Другие MOSFET... STH300NH02L-6 , STH85N15F4-2 , STH90N15F4-2 , STI10N62K3 , STI12N65M5 , STI13NM60N , STI16N65M5 , STI18NM60N , 12N60 , STI21N65M5 , STI22NM60N , STI23NM60ND , STI24NM60N , STI24NM65N , STI26NM60N , STI270N4F3 , STI300N4F6 .

History: NCEP036N10MSL | MTE050N15BRV8 | IRF5805TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.