STI26NM60N Todos los transistores

 

STI26NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI26NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI26NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  st
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STI26NM60N

STI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in a I2PAK packageDatasheet - obsolete productFeatures Order code VDS RDS(on) max IDTABSTI26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge32 Low gate input resistance12I PAKApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inter

 9.1. Size:703K  st
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STI26NM60N

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTP260N6F660 V

 9.2. Size:750K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI26NM60N

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in TO-220 and IPAK packagesFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI260N6F660 V

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History: SI9410BDY | IXTA70N085T | IPB017N06N3G | SI8819EDB

 

 
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