Справочник MOSFET. STI26NM60N

 

STI26NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STI26NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI26NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI26NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  st
 sti26nm60n.pdf pdf_icon

STI26NM60N

STI26NM60NN-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFETs in a I2PAK packageDatasheet - obsolete productFeatures Order code VDS RDS(on) max IDTABSTI26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge32 Low gate input resistance12I PAKApplications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Inter

 9.1. Size:703K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI26NM60N

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A TO-220, IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDSTP260N6F660 V

 9.2. Size:750K  st
 sti260n6f6 stp260n6f6.pdf pdf_icon

STI26NM60N

STI260N6F6STP260N6F6N-channel 60 V, 0.0024 , 120 A STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in TO-220 and IPAK packagesFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) max IDTABTABSTI260N6F660 V

Другие MOSFET... STI16N65M5 , STI18NM60N , STI200N6F3 , STI21N65M5 , STI22NM60N , STI23NM60ND , STI24NM60N , STI24NM65N , SPP20N60C3 , STI270N4F3 , STI300N4F6 , STI30N65M5 , STI32N65M5 , STI35N65M5 , STI42N65M5 , STI4N62K3 , STI55NF03L .

History: RUH60100M | WMS12P03T1

 

 
Back to Top

 


 
.