STL150N3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL150N3LLH5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1147 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00175 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de STL150N3LLH5 MOSFET
STL150N3LLH5 datasheet
stl150n3llh6.pdf
STL150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V
stl150n3llh6.pdf
STL150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V
stl15dn4f5.pdf
STL15DN4F5 Dual N-channel 40 V, 8 m , 15 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max. STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge PowerFLAT (5x6) Low gate drive power losses Double
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Liste
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