STL15DN4F5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STL15DN4F5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6DI

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STL15DN4F5

STL15DN4F5 Datasheet (PDF)

..1. Size:775K st
stl15dn4f5.pdf

STL15DN4F5Dual N-channel 40 V, 8 m, 15 APowerFLAT(5x6) double island, STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax.STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargePowerFLAT (5x6) Low gate drive power lossesDouble

9.1. Size:522K st
stl150n3llh5.pdf

STL150N3LLH5N-channel 30 V, 0.0014 , 35 A, PowerFLAT (6x5)STripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL150N3LLH5 30 V

9.2. Size:141K st
2stl1525.pdf

2STL1525Low voltage high performance NPN power transistorFeatures Very low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast switching speedApplications Emergency lighting LED driveTO-92MODTO-92MOD-AP Motherboard and hard disk drive Mobile equipment DC-DC converter, voltage regulationFigure 1. Internal schematic diagra

9.3. Size:1411K st
stl15n65m5.pdf

STL15N65M5N-channel 650 V, 0.335 typ., 10 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTL15N65M5 710 V

9.4. Size:829K st
stl150n3llh6.pdf

STL150N3LLH6N-channel 30 V, 0.0016 , 33 A PowerFLAT (6x5)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTL150N3LLH6 30 V 0.0024 33 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT ( 6x5 ) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power losses V

9.5. Size:849K st
stl15n3llh5.pdf