STL15DN4F5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL15DN4F5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6DI

Аналог (замена) для STL15DN4F5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL15DN4F5 даташит

 ..1. Size:775K  st
stl15dn4f5.pdfpdf_icon

STL15DN4F5

STL15DN4F5 Dual N-channel 40 V, 8 m , 15 A PowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max. STL15DN4F5 40 V 9 m 15 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge PowerFLAT (5x6) Low gate drive power losses Double

 9.1. Size:522K  st
stl150n3llh5.pdfpdf_icon

STL15DN4F5

 9.2. Size:141K  st
2stl1525.pdfpdf_icon

STL15DN4F5

2STL1525 Low voltage high performance NPN power transistor Features Very low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast switching speed Applications Emergency lighting LED drive TO-92MOD TO-92MOD-AP Motherboard and hard disk drive Mobile equipment DC-DC converter, voltage regulation Figure 1. Internal schematic diagra

 9.3. Size:1411K  st
stl15n65m5.pdfpdf_icon

STL15DN4F5

Другие IGBT... STL100N6LF6, STL10N3LLH5, STL11N3LLH6, STL12N65M5, STL13NM60N, STL140N4LLF5, STL150N3LLH5, STL150N3LLH6, BS170, STL15N3LLH5, STL160N3LLH6, STL16N1VH5, STL16N65M5, STL17N3LLH6, STL18N55M5, STL18NM60N, STL21N65M5