STL18NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL18NM60N
Código: 18NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
STL18NM60N Datasheet (PDF)
stl18nm60n.pdf
STL18NM60NN-channel 600 V, 0.26 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET ina PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2) 12 A STL18NM60N 650 V 0.310 G(1) (1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case 100% avalanche tested Low input capacitance and gate chargePowerFLAT 8
stl18n55m5.pdf
STL18N55M5N-channel 550 V, 0.205 , 13 A PowerFLAT 8x8 HVMDmesh V Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL18N55M5 600 V
stl18n65m2.pdf
STL18N65M2N-channel 650 V, 0.290 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesVDS @ Order codesTJmax RDS(on) max IDSTL18N65M2 715 V 0.365 8 A Extremely low gate charge123 Excellent output capacitance (Coss) profile4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 HV Zener-protectedApplicatio
stl18n65m5.pdf
STL18N65M5N-channel 650 V, 0.215 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL18N65M5 710 V 0.240 15 A(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package.1 Outstanding RDS(on)*area23 Extremely large avalanche performance4 Gate charge minimize
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