STL18NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL18NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL18NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL18NM60N даташит

 ..1. Size:938K  st
stl18nm60n.pdfpdf_icon

STL18NM60N

STL18NM60N N-channel 600 V, 0.26 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) 12 A STL18NM60N 650 V 0.310 G(1) (1) D(3) 1. The value is rated according to Rthj-case 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge PowerFLAT 8

 8.1. Size:894K  st
stl18n55m5.pdfpdf_icon

STL18NM60N

STL18N55M5 N-channel 550 V, 0.205 , 13 A PowerFLAT 8x8 HV MDmesh V Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL18N55M5 600 V

 8.2. Size:704K  st
stl18n65m2.pdfpdf_icon

STL18NM60N

STL18N65M2 N-channel 650 V, 0.290 typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - preliminary data Features VDS @ Order codes TJmax RDS(on) max ID STL18N65M2 715 V 0.365 8 A Extremely low gate charge 1 2 3 Excellent output capacitance (Coss) profile 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 HV Zener-protected Applicatio

 8.3. Size:1535K  st
stl18n65m5.pdfpdf_icon

STL18NM60N

STL18N65M5 N-channel 650 V, 0.215 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on)max. ID STL18N65M5 710 V 0.240 15 A(1) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 1 Outstanding RDS(on)*area 2 3 Extremely large avalanche performance 4 Gate charge minimize

Другие IGBT... STL150N3LLH6, STL15DN4F5, STL15N3LLH5, STL160N3LLH6, STL16N1VH5, STL16N65M5, STL17N3LLH6, STL18N55M5, RFP50N06, STL21N65M5, STL23N85K5, STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5