STL21N65M5 Todos los transistores

 

STL21N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL21N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
 

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STL21N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:958K  st
 stl21n65m5.pdf pdf_icon

STL21N65M5

STL21N65M5N-channel 650 V, 0.175 , 17 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh V power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom iewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL21N65M5 710 V

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History: AM4599C | HCU80R1K2 | HCU80R1K4 | SPN30T10 | STP3NK50Z | HFP12N65S | 2SK954

 

 
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