STL21N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL21N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL21N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL21N65M5 даташит

 ..1. Size:958K  st
 stl21n65m5.pdf pdf_icon

STL21N65M5

STL21N65M5 N-channel 650 V, 0.175 , 17 A PowerFLAT (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh V power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom iew TJmax max S(3) S(3) G(1) STL21N65M5 710 V

Другие IGBT... STL15DN4F5, STL15N3LLH5, STL160N3LLH6, STL16N1VH5, STL16N65M5, STL17N3LLH6, STL18N55M5, STL18NM60N, SI2302, STL23N85K5, STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3