STL24NM60N Todos los transistores

 

STL24NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL24NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.215 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
 

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STL24NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  st
 stl24nm60n.pdf pdf_icon

STL24NM60N

STL24NM60NN-channel 600 V, 0.200 , 16 A PowerFLAT (8x8) HVMDmesh II Power MOSFETPreliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL24NM60N 650 V

 8.1. Size:1287K  st
 stl24n60m2.pdf pdf_icon

STL24NM60N

STL24N60M2N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL24N60M2 650 V 0.21 18 AG(1)D(3) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation Low gate input resistancePowerFLAT

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History: HSP0115 | IRF3706SPBF | SFW9644 | NCE0140K2 | RJK0214DPA | IPAN60R650CE | KI8810DS

 

 
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