STL24NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL24NM60N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.215 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL24NM60N datasheet

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STL24NM60N

STL24NM60N N-channel 600 V, 0.200 , 16 A PowerFLAT (8x8) HV MDmesh II Power MOSFET Preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL24NM60N 650 V

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STL24NM60N

STL24N60M2 N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) STL24N60M2 650 V 0.21 18 A G(1) D(3) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation Low gate input resistance PowerFLAT

Otros transistores... STL16N1VH5, STL16N65M5, STL17N3LLH6, STL18N55M5, STL18NM60N, STL21N65M5, STL23N85K5, STL23NM60ND, 20N50, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5