STL24NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL24NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.215 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STL24NM60N Datasheet (PDF)
stl24nm60n.pdf

STL24NM60NN-channel 600 V, 0.200 , 16 A PowerFLAT (8x8) HVMDmesh II Power MOSFETPreliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL24NM60N 650 V
stl24n60m2.pdf

STL24N60M2N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL24N60M2 650 V 0.21 18 AG(1)D(3) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation Low gate input resistancePowerFLAT
Другие MOSFET... STL16N1VH5 , STL16N65M5 , STL17N3LLH6 , STL18N55M5 , STL18NM60N , STL21N65M5 , STL23N85K5 , STL23NM60ND , K2611 , STL25N15F3 , STL25N15F4 , STL26NM60N , STL32N55M5 , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 .
History: SI9945BDY | NVTFS002N04C
History: SI9945BDY | NVTFS002N04C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560