STL32N55M5 Todos los transistores

 

STL32N55M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STL32N55M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFLAT8X8HV
     - Selección de transistores por parámetros

 

STL32N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  st
 stl32n55m5.pdf pdf_icon

STL32N55M5

STL32N55M5N-channel 550 V, 0.085 , 26 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL32N55M5 600 V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP40N03GP | IPAN60R280P7S | 2SK1314L | PJA3441 | HM4922 | AP4506GEM | RF4C100BC

 

 
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