STL32N55M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL32N55M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT8X8HV

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STL32N55M5 datasheet

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STL32N55M5

STL32N55M5 N-channel 550 V, 0.085 , 26 A PowerFLAT (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh V Power MOSFET Preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL32N55M5 600 V

Otros transistores... STL18NM60N, STL21N65M5, STL23N85K5, STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, IRFZ24N, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5