Справочник MOSFET. STL32N55M5

 

STL32N55M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL32N55M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STL32N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:629K  st
 stl32n55m5.pdf pdf_icon

STL32N55M5

STL32N55M5N-channel 550 V, 0.085 , 26 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL32N55M5 600 V

Другие MOSFET... STL18NM60N , STL21N65M5 , STL23N85K5 , STL23NM60ND , STL24NM60N , STL25N15F3 , STL25N15F4 , STL26NM60N , MMIS60R580P , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , STL52N25M5 , STL56N3LLH5 , STL60N32N3LL , STL60N3LLH5 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.