STL32N55M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL32N55M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL32N55M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL32N55M5 даташит

 ..1. Size:629K  st
 stl32n55m5.pdf pdf_icon

STL32N55M5

STL32N55M5 N-channel 550 V, 0.085 , 26 A PowerFLAT (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh V Power MOSFET Preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL32N55M5 600 V

Другие IGBT... STL18NM60N, STL21N65M5, STL23N85K5, STL23NM60ND, STL24NM60N, STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, IRFZ24N, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, STL52N25M5, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5