STL52N25M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STL52N25M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERFLAT5X6
Búsqueda de reemplazo de STL52N25M5 MOSFET
STL52N25M5 Datasheet (PDF)
stl52n25m5.pdf
STL52N25M5N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, PowerFLAT (5x6)MDmesh V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID(1)max.STL52N25M5 250 V
Otros transistores... STL25N15F3 , STL25N15F4 , STL26NM60N , STL32N55M5 , STL35N15F3 , STL40DN3LLH5 , STL42N65M5 , STL50N3LLH5 , AO3400A , STL56N3LLH5 , STL60N32N3LL , STL60N3LLH5 , STL65DN3LLH5 , STL65N3LLH5 , STL70N2LLH5 , STL70N4LLF5 , STL75N3LLZH5 .
History: PSMN4R0-30YL | HGP020NE4S | VBMB18R15S | AP9510GM | AP94T07GS-HF | STP45N10F7 | OSG55R580DEF
History: PSMN4R0-30YL | HGP020NE4S | VBMB18R15S | AP9510GM | AP94T07GS-HF | STP45N10F7 | OSG55R580DEF
Liste
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