STL52N25M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL52N25M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL52N25M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL52N25M5 даташит

 ..1. Size:772K  st
 stl52n25m5.pdf pdf_icon

STL52N25M5

STL52N25M5 N-channel 250 V, 0.055 , 28 A, PowerFLAT (5x6) MDmesh V Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID(1) max. STL52N25M5 250 V

Другие IGBT... STL25N15F3, STL25N15F4, STL26NM60N, STL32N55M5, STL35N15F3, STL40DN3LLH5, STL42N65M5, STL50N3LLH5, AO3400A, STL56N3LLH5, STL60N32N3LL, STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5