STL80N3LLH6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL80N3LLH6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X6

 Búsqueda de reemplazo de STL80N3LLH6 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STL80N3LLH6 datasheet

 ..1. Size:544K  st
 stl80n3llh6.pdf pdf_icon

STL80N3LLH6

STL80N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0046 , 21 A PowerFLAT (5x6) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL80N3LLH6 30 V 0.0052 21 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive powe

 8.1. Size:349K  st
 stl80n4llf3.pdf pdf_icon

STL80N3LLH6

STL80N4LLF3 N-channel 40V - 0.0042 - 80A - PowerFLAT (6x5) STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STL80N4LLF3 40V

 8.2. Size:973K  st
 stl80n75f6.pdf pdf_icon

STL80N3LLH6

STL80N75F6 N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET F6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL80N75F6 75 V 5.5 m 18 A Very low on-resistance 1 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications Switching applications Fi

Otros transistores... STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, AON7403, STL80N4LLF3, STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20