STL80N3LLH6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STL80N3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL80N3LLH6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL80N3LLH6 даташит

 ..1. Size:544K  st
 stl80n3llh6.pdf pdf_icon

STL80N3LLH6

STL80N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0046 , 21 A PowerFLAT (5x6) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID max STL80N3LLH6 30 V 0.0052 21 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) PowerFLAT ( 5x6 ) High avalanche ruggedness Low gate drive powe

 8.1. Size:349K  st
 stl80n4llf3.pdf pdf_icon

STL80N3LLH6

STL80N4LLF3 N-channel 40V - 0.0042 - 80A - PowerFLAT (6x5) STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion General features Type VDSS RDS(on) ID STL80N4LLF3 40V

 8.2. Size:973K  st
 stl80n75f6.pdf pdf_icon

STL80N3LLH6

STL80N75F6 N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET F6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL80N75F6 75 V 5.5 m 18 A Very low on-resistance 1 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications Switching applications Fi

Другие IGBT... STL60N3LLH5, STL65DN3LLH5, STL65N3LLH5, STL70N2LLH5, STL70N4LLF5, STL75N3LLZH5, STL75N8LF6, STL7NM60N, AON7403, STL80N4LLF3, STL80N75F6, STL85N6F3, STL8N65M5, STL90N3LLH6, STL9N3LLH5, STN1HNK60, STN1N20