STL8N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STL8N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: POWERFLAT5X5

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STL8N65M5 datasheet

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STL8N65M5

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STL8N65M5

STL8N10LF3 Automotive-grade N-channel 100 V, 25 m typ., 7.8 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL8N10LF3 100 V 35 m 7.8 A Designed for automotive applications and 1 AEC-Q101 qualified 2 3 Logic level VGS(th) 4 175 C maximum junction temperature 100% avalanche rate

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STL8N65M5

STL8N10F7 N-channel 100 V, 0.017 typ., 35 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STL8N10F7 100 V 0.02 35 A 50 W Among the lowest RDS(on) on the market 1 Excellent figure of merit (FoM) 2 3 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 4 High avalanche ruggedness Pow

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STL8N65M5

STL8N80K5 N-channel 800 V, 0.80 typ., 4.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID STL8N80K5 800 V 0.95 4.5 A Outstanding RDS(on)*area 1 Worldwide best FOM (figure of merit) 2 3 Ultra low gate charge 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 VHV Zene

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