Справочник MOSFET. STL8N65M5

 

STL8N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL8N65M5
   Маркировка: 8N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X5

 Аналог (замена) для STL8N65M5

 

 

STL8N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1026K  st
 stl8n65m5.pdf

STL8N65M5 STL8N65M5

STL8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh VPower MOSFET in PowerFLAT 5x5FeaturesVDSS @ RDS(on) Order code IDTJmax max 765STL8N65M5 710 V

 9.1. Size:990K  st
 stl8n10lf3.pdf

STL8N65M5 STL8N65M5

STL8N10LF3Automotive-grade N-channel 100 V, 25 m typ., 7.8 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL8N10LF3 100 V 35 m 7.8 A Designed for automotive applications and 1AEC-Q101 qualified23 Logic level VGS(th)4 175 C maximum junction temperature 100% avalanche rate

 9.2. Size:613K  st
 stl8n10f7.pdf

STL8N65M5 STL8N65M5

STL8N10F7N-channel 100 V, 0.017 typ., 35 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL8N10F7 100 V 0.02 35 A 50 W Among the lowest RDS(on) on the market1 Excellent figure of merit (FoM)23 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity4 High avalanche ruggednessPow

 9.3. Size:1392K  st
 stl8n80k5.pdf

STL8N65M5 STL8N65M5

STL8N80K5N-channel 800 V, 0.80 typ., 4.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL8N80K5 800 V 0.95 4.5 A Outstanding RDS(on)*area1 Worldwide best FOM (figure of merit)23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zene

 9.4. Size:321K  st
 stl8nh3ll.pdf

STL8N65M5 STL8N65M5

STL8NH3LLN-channel 30 V, 0.012 , 8 A - PowerFLAT (3.3x3.3)ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTL8NH3LL 30V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top