STN3PF06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STN3PF06
   Código: N3PF06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STN3PF06

STN3PF06 Datasheet (PDF)

..1. Size:255K st
stn3pf06.pdf

STN3PF06P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax2STN3PF06 60 V

..2. Size:778K cn vbsemi
stn3pf06.pdf

STN3PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet

9.1. Size:1093K st
stn3p6f6.pdf

STN3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID4STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A RDS(on) * Qg industry benchmark32 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSOT-223 Low gate drive power lossesApplications Swit

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Liste

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