Справочник MOSFET. STN3PF06

 

STN3PF06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN3PF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STN3PF06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN3PF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  st
 stn3pf06.pdf pdf_icon

STN3PF06

STN3PF06P-channel 60 V - 0.20 - 2.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax2STN3PF06 60 V

 ..2. Size:778K  cn vbsemi
 stn3pf06.pdf pdf_icon

STN3PF06

STN3PF06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet

 9.1. Size:1093K  st
 stn3p6f6.pdf pdf_icon

STN3PF06

STN3P6F6P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SOT-223 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on)max ID4STN3P6F6 60 V 0.16 @ 10 V 3 A RDS(on) * Qg industry benchmark32 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSOT-223 Low gate drive power lossesApplications Swit

Другие MOSFET... STN1NF10 , STN1NK60Z , STN1NK80Z , STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 , STN3NF06 , STN3NF06L , IRF540N , STN4NF03L , STN4NF06L , STN4NF20L , STP100NF04 , STP10N62K3 , STP10NK60Z , STP10NK70Z , STP10NK70ZFP .

History: PHP20NQ20T | HGN080N10S | IRHMS597260 | AM2305 | IRF7821PBF | AM7200N | UPA2353

 

 
Back to Top

 


 
.