STN4NF20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STN4NF20L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STN4NF20L

STN4NF20L Datasheet (PDF)

..1. Size:605K st
stn4nf20l.pdf

STN4NF20LN-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.2STN4NF20L 200 V

8.1. Size:280K st
stn4nf06l.pdf

STN4NF06LN-channel 60 V - 0.07 - 4 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN4NF06L 60 V

8.2. Size:235K st
stn4nf03l.pdf

STN4NF03LN-channel 30 V - 0.039 - 6.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID2STN4NF03L 30 V

8.3. Size:810K cn vbsemi
stn4nf03l.pdf

STN4NF03Lwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PAR

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BSR92P

Liste

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