STN4NF20L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN4NF20L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

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STN4NF20L datasheet

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STN4NF20L

STN4NF20L N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. 2 STN4NF20L 200 V

 8.1. Size:280K  st
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STN4NF20L

STN4NF06L N-channel 60 V - 0.07 - 4 A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STN4NF06L 60 V

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STN4NF20L

STN4NF03L N-channel 30 V - 0.039 - 6.5 A - SOT-223 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 2 STN4NF03L 30 V

 8.3. Size:810K  cn vbsemi
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STN4NF20L

STN4NF03L www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.021 ID (A) 7 Configuration Single D SOT-223 G D S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PAR

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