Справочник MOSFET. STN4NF20L

 

STN4NF20L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STN4NF20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STN4NF20L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STN4NF20L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  st
 stn4nf20l.pdf pdf_icon

STN4NF20L

STN4NF20LN-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.2STN4NF20L 200 V

 8.1. Size:280K  st
 stn4nf06l.pdf pdf_icon

STN4NF20L

STN4NF06LN-channel 60 V - 0.07 - 4 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN4NF06L 60 V

 8.2. Size:235K  st
 stn4nf03l.pdf pdf_icon

STN4NF20L

STN4NF03LN-channel 30 V - 0.039 - 6.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID2STN4NF03L 30 V

 8.3. Size:810K  cn vbsemi
 stn4nf03l.pdf pdf_icon

STN4NF20L

STN4NF03Lwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PAR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STN2NF10 , STN3N40K3 , STN3N45K3 , STN3NF06 , STN3NF06L , STN3PF06 , STN4NF03L , STN4NF06L , IRFZ44 , STP100NF04 , STP10N62K3 , STP10NK60Z , STP10NK70Z , STP10NK70ZFP , STP10NK80Z , STP10NK80ZFP , STP10NM50N .

 

 
Back to Top

 


 
.