STN4NF20L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STN4NF20L
Маркировка: 4NF20L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.9 nC
Время нарастания (tr): 2 ns
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STN4NF20L Datasheet (PDF)
stn4nf20l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN4NF20LN-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223low gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.2STN4NF20L 200 V
stn4nf06l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN4NF06LN-channel 60 V - 0.07 - 4 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN4NF06L 60 V
stn4nf03l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN4NF03LN-channel 30 V - 0.039 - 6.5 A - SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID2STN4NF03L 30 V
stn4nf03l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STN4NF03Lwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PAR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .