STP210N75F6 Todos los transistores

 

STP210N75F6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP210N75F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1060 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP210N75F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  st
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STP210N75F6

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V

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stp210nf02.pdf pdf_icon

STP210N75F6

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V

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STP210N75F6

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V

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stp21n06l.pdf pdf_icon

STP210N75F6

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V

Otros transistores... STP20NF20 , STP20NK50Z , STP20NM50 , STP20NM50FD , STP20NM60 , STP20NM60FD , STP20NM60FP , STP20NM65N , IRFP064N , STP21N65M5 , STP21N90K5 , STP21NM60ND , STP22NF03L , STP22NM60N , STP22NS25Z , STP23NM50N , STP23NM60ND .

History: APT60M80L2VFRG | SL2308 | RJK2017DPP | BSC072N03LDG | PMZ250UN | NCE60N670K | QM3009S

 

 
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