STP210N75F6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP210N75F6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1060 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP210N75F6 datasheet

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STP210N75F6

STP210N75F6 N-channel 75 V, 3 m , 120 A TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP210N75F6 75 V

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STP210N75F6

STP210NF02 STB210NF02 STB210NF02-1 N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A D PAK/I PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET AUTOMOTIVE SPECIFIC TYPE VDSS RDS(on) ID STB210NF02/-1 20 V

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STP210N75F6

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N06L 60 V

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STP210N75F6

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N06L 60 V

Otros transistores... STP20NF20, STP20NK50Z, STP20NM50, STP20NM50FD, STP20NM60, STP20NM60FD, STP20NM60FP, STP20NM65N, AO4468, STP21N65M5, STP21N90K5, STP21NM60ND, STP22NF03L, STP22NM60N, STP22NS25Z, STP23NM50N, STP23NM60ND