STP210N75F6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP210N75F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP210N75F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP210N75F6 даташит

 ..1. Size:687K  st
stp210n75f6.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP210N75F6 N-channel 75 V, 3 m , 120 A TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP210N75F6 75 V

 7.1. Size:609K  st
stp210nf02.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP210NF02 STB210NF02 STB210NF02-1 N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A D PAK/I PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET AUTOMOTIVE SPECIFIC TYPE VDSS RDS(on) ID STB210NF02/-1 20 V

 9.1. Size:197K  st
stp21n06.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N06L 60 V

 9.2. Size:383K  st
stp21n06l.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N06L 60 V

Другие IGBT... STP20NF20, STP20NK50Z, STP20NM50, STP20NM50FD, STP20NM60, STP20NM60FD, STP20NM60FP, STP20NM65N, AO4468, STP21N65M5, STP21N90K5, STP21NM60ND, STP22NF03L, STP22NM60N, STP22NS25Z, STP23NM50N, STP23NM60ND