Справочник MOSFET. STP210N75F6

 

STP210N75F6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP210N75F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP210N75F6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP210N75F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  st
stp210n75f6.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V

 7.1. Size:609K  st
stp210nf02.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V

 9.1. Size:197K  st
stp21n06.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V

 9.2. Size:383K  st
stp21n06l.pdfpdf_icon

STP210N75F6

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V

Другие MOSFET... STP20NF20 , STP20NK50Z , STP20NM50 , STP20NM50FD , STP20NM60 , STP20NM60FD , STP20NM60FP , STP20NM65N , IRFP064N , STP21N65M5 , STP21N90K5 , STP21NM60ND , STP22NF03L , STP22NM60N , STP22NS25Z , STP23NM50N , STP23NM60ND .

History: ZDX130N50 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | IPB034N06L3G | CS10N65FA9HD | AM7153P | VBI1101M

 

 
Back to Top

 


 
.