STP210N75F6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP210N75F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP210N75F6
STP210N75F6 Datasheet (PDF)
stp210n75f6.pdf

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V
stp210nf02.pdf

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V
stp21n06.pdf

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V
stp21n06l.pdf

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V
Другие MOSFET... STP20NF20 , STP20NK50Z , STP20NM50 , STP20NM50FD , STP20NM60 , STP20NM60FD , STP20NM60FP , STP20NM65N , IRFP064N , STP21N65M5 , STP21N90K5 , STP21NM60ND , STP22NF03L , STP22NM60N , STP22NS25Z , STP23NM50N , STP23NM60ND .
History: ZDX130N50 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | IPB034N06L3G | CS10N65FA9HD | AM7153P | VBI1101M
History: ZDX130N50 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | IPB034N06L3G | CS10N65FA9HD | AM7153P | VBI1101M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763