STP32N55M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP32N55M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP32N55M5 datasheet

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STP32N55M5

STP32N55M5, STW32N55M5 N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 Preliminary data Features VDSS RDS(on) Order codes ID @TJmax max STP32N55M5 550 V

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STP32N55M5

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP32N06L 60 V

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STP32N55M5

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N06L 60 V

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STP32N55M5

STP32N05L STP32N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N05L 50 V

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