STP32N55M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP32N55M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP32N55M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32N55M5 даташит

 ..1. Size:277K  st
 stp32n55m5 stw32n55m5.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N55M5, STW32N55M5 N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 Preliminary data Features VDSS RDS(on) Order codes ID @TJmax max STP32N55M5 550 V

 8.1. Size:201K  st
 stp32n06.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP32N06L 60 V

 8.2. Size:393K  st
 stp32n06l.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N06L 60 V

 8.3. Size:393K  st
 stp32n05l.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N05L STP32N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP2NK60Z, STP2NK90Z, STP30N65M5, STP30NF10, STP30NF20, STP30NM30N, STP30NM50N, STP30NS15LFP, 8205A, STP32N65M5, STP34NM60N, STP34NM60ND, STP35N65M5, STP35NF10, STP36NF06, STP36NF06L, STP3LN62K3