Справочник MOSFET. STP32N55M5

 

STP32N55M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP32N55M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP32N55M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  st
 stp32n55m5 stw32n55m5.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N55M5, STW32N55M5N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFETin TO-220 and TO-247Preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax maxSTP32N55M5550 V

 8.1. Size:201K  st
 stp32n06.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V

 8.2. Size:393K  st
 stp32n06l.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V

 8.3. Size:393K  st
 stp32n05l.pdf pdf_icon

STP32N55M5

STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP2NK60Z , STP2NK90Z , STP30N65M5 , STP30NF10 , STP30NF20 , STP30NM30N , STP30NM50N , STP30NS15LFP , 2SK3878 , STP32N65M5 , STP34NM60N , STP34NM60ND , STP35N65M5 , STP35NF10 , STP36NF06 , STP36NF06L , STP3LN62K3 .

History: LPSC3481 | PDC3801R | AM7304N | NCEP6060GU | SWB042R10ES | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.